半導体の上下を不純物の少ない「アモルファスシリコン層」で挟み込むことにより、発電ロスを抑え、変換効率が高い点が特徴

半導体の上下を不純物の少ない「アモルファスシリコン層」で挟み込むことにより、発電ロスを抑え、変換効率が高い点が特徴